IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1
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部品番号 IPD60R600E6ATMA1
LIXINC Part # IPD60R600E6ATMA1
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IPD60R600E6ATMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IPD60R600E6ATMA1 仕様

部品番号:IPD60R600E6ATMA1
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:CoolMOS™ E6
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:7.3A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.5V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:20.5 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:440 pF @ 100 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):63W (Tc)
動作温度:-
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-252
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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