参考まで
部品番号 | SIHD6N80E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHD6N80E-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHD6N80E-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SIHD6N80E-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 940mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 44 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 827 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 78W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-PAK (TO-252AA) |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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IRFR1205TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 910 注文の詳細 |
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TN0610N3-G-P003 | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | 819 注文の詳細 |
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IPP070N08N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1452 注文の詳細 |
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LND250K1-G | MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23 | 2828 注文の詳細 |
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AOTF42S60L | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F | 1033 注文の詳細 |
在庫あり | 13842 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.23000 | $2.23 |
10 | $2.01653 | $20.1653 |
100 | $1.62037 | $162.037 |
500 | $1.26031 | $630.155 |
1000 | $1.04426 | $1044.26 |
2500 | $0.97224 | $2430.6 |
5000 | $0.93623 | $4681.15 |
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