参考まで
部品番号 | SI5442DU-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI5442DU-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI5442DU-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | SI5442DU-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 10mOhm @ 8A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45 nC @ 8 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1700 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® ChipFet Single |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
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IRF610SPBF | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 1067 注文の詳細 |
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LND250K1-G | MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23 | 2946 注文の詳細 |
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NTD3808NT4G | MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK | 60986 注文の詳細 |
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IPD65R660CFDATMA2 | MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313 | 987 注文の詳細 |
在庫あり | 14577 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.66000 | $0.66 |
3000 | $0.27968 | $839.04 |
6000 | $0.26153 | $1569.18 |
15000 | $0.25245 | $3786.75 |
30000 | $0.24750 | $7425 |
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