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部品番号 | PMPB20EN,115 |
LIXINC Part # | PMPB20EN,115 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMPB20EN,115 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | PMPB20EN,115 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 19.5mOhm @ 7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 10.8 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 435 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DFN2020MD-6 |
パッケージ・ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
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NTD3808NT4G | MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK | 61000 注文の詳細 |
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IPD65R660CFDATMA2 | MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313 | 885 注文の詳細 |
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IPA65R150CFDXKSA2 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | 892 注文の詳細 |
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SSM3K341R,LXHF | AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F | 3037 注文の詳細 |
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IPP60R1K4C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 | 24155 注文の詳細 |
在庫あり | 19002 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.07000 | $0.07 |
3000 | $0.07000 | $210 |
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