参考まで
部品番号 | NTD4810N-1G |
LIXINC Part # | NTD4810N-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD4810N-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD4810N-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Ta), 54A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 11.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 10mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.35 pF @ 12 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
SIHP38N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB | 832 注文の詳細 |
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HUFA75344S3S | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 2843 注文の詳細 |
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FQB7N80TM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 871 注文の詳細 |
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DMNH4006SPSQ-13 | MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 | 21388346 注文の詳細 |
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XP151A13A0MR-G | MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 | 975 注文の詳細 |
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NTHL040N65S3F | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 | 1695 注文の詳細 |
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CSD18533Q5A | MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON | 803 注文の詳細 |
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FQI2N30TU | MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK | 7958 注文の詳細 |
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AUIRFZ24NSTRL | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 3365 注文の詳細 |
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SI2328DS-T1-E3 | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | 2955 注文の詳細 |
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IRF830LPBF | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3 | 840 注文の詳細 |
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RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 | 12180 注文の詳細 |
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NVHL082N65S3F | MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3 | 26957 注文の詳細 |
在庫あり | 10389 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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