参考まで
部品番号 | FQB25N33TM |
LIXINC Part # | FQB25N33TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB25N33TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB25N33TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 330 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 230mOhm @ 12.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 75 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.01 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.1W (Ta), 250W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
TPN13008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON | 2728 注文の詳細 |
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SIR606BDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK | 2876 注文の詳細 |
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ZVN2110GTA | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 | 5372 注文の詳細 |
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IPB60R250CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 42600 注文の詳細 |
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FDB060AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK | 1567 注文の詳細 |
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IPB65R110CFDAATMA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK | 1574 注文の詳細 |
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IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4 | 8862 注文の詳細 |
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SQM120P04-04L_GE3 | MOSFET P-CH 40V 120A TO263 | 2063 注文の詳細 |
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AUIRLS3034TRL | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 9008 注文の詳細 |
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IXFH34N65X2 | MOSFET N-CH 650V 34A TO247 | 1236 注文の詳細 |
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TK20A60U(Q,M) | MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS | 901 注文の詳細 |
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NTMFS5C677NLT1G | MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN | 15907 注文の詳細 |
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RCD075N19TL | MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3 | 863 注文の詳細 |
在庫あり | 18618 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.38000 | $1.38 |
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