参考まで
部品番号 | IPB04N03LAT |
LIXINC Part # | IPB04N03LAT |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPB04N03LAT PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPB04N03LAT |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 60µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3877 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 107W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO263-3-2 |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IPD040N03LGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 2061 注文の詳細 |
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ZXMN6A07FTA | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 89255 注文の詳細 |
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IXFH44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD | 955 注文の詳細 |
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RFD20N03SM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9251 注文の詳細 |
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NTB75N03RG | MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK | 810 注文の詳細 |
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SI2306-TP | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23 | 927 注文の詳細 |
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2SK4145-S19-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 907 注文の詳細 |
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NTP6N60 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 801 注文の詳細 |
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APT6025BLLG | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 | 864 注文の詳細 |
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IRFH5110TRPBF | MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN | 5425 注文の詳細 |
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BSS84-F2-0000HF | P-CH MOSFET 60V 0.17A SOT-23-3L | 814 注文の詳細 |
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AOD2816 | MOSFET N-CH 80V 8.5A/35A TO252 | 920 注文の詳細 |
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STFI4N62K3 | MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP | 2306 注文の詳細 |
在庫あり | 11419 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.20000 | $1.2 |
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