TPN4R303NL,L1Q

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部品番号 TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part # TPN4R303NL,L1Q
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TPN4R303NL,L1Q PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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TPN4R303NL,L1Q 仕様

部品番号:TPN4R303NL,L1Q
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVIII-H
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:40A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.3V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:14.8 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1400 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):700mW (Ta), 34W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ・ケース:8-PowerVDFN

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