BSZ086P03NS3EGATMA1

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部品番号 BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part # BSZ086P03NS3EGATMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル BSZ086P03NS3EGATMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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BSZ086P03NS3EGATMA1 仕様

部品番号:BSZ086P03NS3EGATMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:13.5A (Ta), 40A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.1V @ 105µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:57.5 nC @ 10 V
vgs (最大):±25V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4785 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TSDSON-8
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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