参考まで
部品番号 | FQU6N40CTU |
LIXINC Part # | FQU6N40CTU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQU6N40CTU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQU6N40CTU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 400 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1Ohm @ 2.25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 625 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
SIR800ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK | 6246 注文の詳細 |
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IPA50R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP | 833 注文の詳細 |
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IRL3803VPBF | IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW | 881 注文の詳細 |
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DMG4800LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 | 48538366 注文の詳細 |
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RSQ015N06HZGTR | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 | 994 注文の詳細 |
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SI1480DH-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 | 3786 注文の詳細 |
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AOB280A60L | MOSFET N-CH 600V 14A TO263 | 1784 注文の詳細 |
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IPP60R600E6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 837 注文の詳細 |
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IPI80N04S403AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 1258 注文の詳細 |
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FQP9N90C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | 3456 注文の詳細 |
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SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 1365 注文の詳細 |
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GKI07301 | MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN | 1234 注文の詳細 |
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DMN62D0UWQ-13 | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 | 942 注文の詳細 |
在庫あり | 15111 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
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