参考まで
部品番号 | SI4866DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4866DY-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 12V 11A 8SO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4866DY-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4866DY-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 600mV @ 250µA (Min) |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.6W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IXFH50N85X | MOSFET N-CH 850V 50A TO247 | 853 注文の詳細 |
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STP80NF55L-06 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB | 907 注文の詳細 |
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BUZ30AH3045AATMA1 | BUZ30 - SIPMOS POWER TRANSISTOR | 4594 注文の詳細 |
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PSMN2R8-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 970 注文の詳細 |
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CPH6443-TL-H | MOSFET N-CH 35V 6A 6CPH | 9931 注文の詳細 |
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IXTP2N65X2 | MOSFET N-CH 650V 2A TO220 | 7305 注文の詳細 |
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IRLR8259TRPBF | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK | 950 注文の詳細 |
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CSD18537NKCS | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | 1712 注文の詳細 |
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STF10N62K3 | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP | 977 注文の詳細 |
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STH270N8F7-6 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK | 1896 注文の詳細 |
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AUIRF2907Z | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 1099 注文の詳細 |
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FDD3682 | MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA | 1609 注文の詳細 |
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STD60NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 60A DPAK | 2598 注文の詳細 |
在庫あり | 10835 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.06500 | $1.065 |
2500 | $1.06500 | $2662.5 |
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