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部品番号 | PHP18NQ11T,127 |
LIXINC Part # | PHP18NQ11T,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PHP18NQ11T,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PHP18NQ11T,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 110 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 90mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 21 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 633 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 79W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
MSC080SMA120B | SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3 | 856 注文の詳細 |
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FDD5N60NZTM | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 4932 注文の詳細 |
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TSM2N100CH C5G | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251 | 2608 注文の詳細 |
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DMN6069SFG-7 | MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 | 20006954 注文の詳細 |
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FDB7030BL-ON | MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK | 6568 注文の詳細 |
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IXTA32P20T | MOSFET P-CH 200V 32A TO263 | 959 注文の詳細 |
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PSMN5R0-40MSHX | MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 | 2417 注文の詳細 |
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IPP90R500C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3-1 | 5853 注文の詳細 |
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IPB80N07S405ATMA1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | 25666 注文の詳細 |
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NTMFS4108NT1G | MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN | 16066 注文の詳細 |
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SI1401EDH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6 | 1040 注文の詳細 |
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SQR40020ER_GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV | 2883 注文の詳細 |
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5HP01M-TL-E | MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP | 828917 注文の詳細 |
在庫あり | 18505 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.30000 | $0.3 |
5000 | $0.30000 | $1500 |
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