参考まで
部品番号 | IRFHS8342TR2PBF |
LIXINC Part # | IRFHS8342TR2PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFHS8342TR2PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IRFHS8342TR2PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.8A (Ta), 19A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 16mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.35V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8.7 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 600 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TSDSON-6 |
パッケージ・ケース: | 6-PowerVDFN |
IPB120N06S402ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 2113 注文の詳細 |
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STH270N4F3-2 | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK | 960 注文の詳細 |
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STF21N65M5 | MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP | 1214 注文の詳細 |
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CDM2208-800FP SL PBFREE | MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP | 888 注文の詳細 |
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APT100M50J | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | 832 注文の詳細 |
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IPI60R380C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3 | 911 注文の詳細 |
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STB75NF75LT4 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 838 注文の詳細 |
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SIHP22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB | 1962 注文の詳細 |
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IRFB3207ZPBF | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | 2096 注文の詳細 |
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FQP20N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3 | 852 注文の詳細 |
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FQPF13N50C-ON | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 | 9855 注文の詳細 |
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SIHG80N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC | 2345 注文の詳細 |
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IPA60R160C6XKSA1 | IPA60R160 - 600V COOLMOS N-CHANN | 1152 注文の詳細 |
在庫あり | 10931 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.11000 | $0.11 |
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