SPP18P06PHXKSA1

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部品番号 SPP18P06PHXKSA1
LIXINC Part # SPP18P06PHXKSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SPP18P06PHXKSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPP18P06PHXKSA1 仕様

部品番号:SPP18P06PHXKSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:SIPMOS®
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:860 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):81.1W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO220-3
パッケージ・ケース:TO-220-3

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