参考まで
部品番号 | FDN372S |
LIXINC Part # | FDN372S |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDN372S PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDN372S |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.6A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 40mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8.1 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 630 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 500mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SuperSOT-3 |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
IXFR16N120P | MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247 | 933 注文の詳細 |
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AON7414 | MOSFET N-CH 30V 12.5A/20A 8DFN | 878 注文の詳細 |
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IRF6711STRPBF | MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT | 5673 注文の詳細 |
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TSM4ND65CI | MOSFET N-CH 650V 4A ITO220 | 4771 注文の詳細 |
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FDMC012N03 | MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33 | 12573 注文の詳細 |
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FQB3N40TM | MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK | 2475 注文の詳細 |
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AOB286L | MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263 | 840 注文の詳細 |
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FDB8896 | MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB | 1004 注文の詳細 |
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DMP2075UVT-13 | MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R | 832 注文の詳細 |
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MCH6445-TL-W | MOSFET N-CH 60V 4A 6MCPH | 3530 注文の詳細 |
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FDP032N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 | 2403 注文の詳細 |
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STD3N95K5AG | MOSFET N-CH 950V 2A DPAK | 4381 注文の詳細 |
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PSMN1R0-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 909 注文の詳細 |
在庫あり | 122667 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.15000 | $0.15 |
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