参考まで
部品番号 | FQB3N40TM |
LIXINC Part # | FQB3N40TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB3N40TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB3N40TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 400 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.4Ohm @ 1.25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 230 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
AOB286L | MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263 | 934 注文の詳細 |
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FDB8896 | MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB | 1010 注文の詳細 |
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DMP2075UVT-13 | MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R | 857 注文の詳細 |
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MCH6445-TL-W | MOSFET N-CH 60V 4A 6MCPH | 3633 注文の詳細 |
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FDP032N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 | 2574 注文の詳細 |
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STD3N95K5AG | MOSFET N-CH 950V 2A DPAK | 4380 注文の詳細 |
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PSMN1R0-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 963 注文の詳細 |
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MCH3383-TL-H | MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70 | 319279 注文の詳細 |
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IPW65R190CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 | 956 注文の詳細 |
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NTK3043NT1G | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723 | 17045 注文の詳細 |
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STH180N10F3-6 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | 883 注文の詳細 |
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IPZ60R037P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | 3475 注文の詳細 |
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STW60N65M5 | MOSFET N-CH 650V 46A TO247 | 1620 注文の詳細 |
在庫あり | 12380 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
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