参考まで
部品番号 | FDA62N28 |
LIXINC Part # | FDA62N28 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDA62N28 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDA62N28 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | UniFET™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 280 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 62A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 51mOhm @ 31A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 100 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4.63 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 500W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3PN |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
SSM3J15FV,L3F | MOSFET P-CH 30V 100MA VESM | 56780 注文の詳細 |
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STB60NF10T4 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 873 注文の詳細 |
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SI7884BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 | 2442 注文の詳細 |
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DN3135N8-G | MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA | 850 注文の詳細 |
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IPB037N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | 889 注文の詳細 |
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SI1308EDL-T1-BE3 | MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3 | 3486 注文の詳細 |
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FDD8876 | MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA | 5778 注文の詳細 |
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SQ2362ES-T1_BE3 | MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 | 3692 注文の詳細 |
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SCTWA35N65G2V | TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247 | 889 注文の詳細 |
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STW9NK90Z | MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 | 886 注文の詳細 |
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DMG3402LQ-7 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 932 注文の詳細 |
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NVMFS5C450NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN | 801 注文の詳細 |
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NTMFS4C09NAT1G | MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN | 35335 注文の詳細 |
在庫あり | 13584 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.66000 | $3.66 |
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