参考まで
部品番号 | NVMFS5826NLT1G |
LIXINC Part # | NVMFS5826NLT1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NVMFS5826NLT1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NVMFS5826NLT1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
NVMFS4C03NWFT3G | MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN | 935 注文の詳細 |
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NVD14N03RT4G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35292 注文の詳細 |
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NTMS7N03R2G | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC | 2967 注文の詳細 |
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PMZB290UNE2YL | MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 | 877 注文の詳細 |
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FKI06051 | MOSFET N-CH 60V 69A TO220F | 983 注文の詳細 |
|
AOI380A60C | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A | 879 注文の詳細 |
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STD64N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 54A DPAK | 905 注文の詳細 |
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IRFU9024NPBF | MOSFET P-CH 55V 11A IPAK | 3955 注文の詳細 |
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HUFA76413D3ST | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 13260 注文の詳細 |
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SI4838BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 34A 8SO | 2678 注文の詳細 |
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IPD30N06S2L23ATMA3 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 | 1018 注文の詳細 |
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STP10N95K5 | MOSFET N-CH 950V 8A TO220 | 897 注文の詳細 |
|
TK9A60D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS | 859 注文の詳細 |
在庫あり | 14716 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
1500 | $0.41000 | $615 |
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