参考まで
部品番号 | IXTT75N10 |
LIXINC Part # | IXTT75N10 |
メーカー | Wickmann / Littelfuse |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IXTT75N10 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IXTT75N10 |
ブランド: | Wickmann / Littelfuse |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Wickmann / Littelfuse |
シリーズ: | MegaMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 20mOhm @ 37.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 4mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 260 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4500 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-268 |
パッケージ・ケース: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
G3R160MT12D | SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 | 1495 注文の詳細 |
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SI1013CX-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 | 19640 注文の詳細 |
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IRLD024PBF | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | 8455 注文の詳細 |
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RSS070P05FRATB | MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP | 5539 注文の詳細 |
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IRL2203NSPBF | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | 981 注文の詳細 |
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BSZ065N03LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 28983 注文の詳細 |
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AOB190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | 844 注文の詳細 |
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R6020FNX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1429 注文の詳細 |
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SIHG20N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC | 888 注文の詳細 |
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TPH8R008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP | 5803 注文の詳細 |
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IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO263 | 91782 注文の詳細 |
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TK62J60W,S1VQ | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P | 995 注文の詳細 |
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IRFIB41N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 2155 注文の詳細 |
在庫あり | 10802 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $27.26467 | $27.26467 |
30 | $27.26467 | $817.9401 |
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