SI2312BDS-T1-E3

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部品番号 SI2312BDS-T1-E3
LIXINC Part # SI2312BDS-T1-E3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SI2312BDS-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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SI2312BDS-T1-E3 仕様

部品番号:SI2312BDS-T1-E3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:TrenchFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:3.9A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.8V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:31mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:850mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:12 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:-
フェチ機能:-
消費電力 (最大):750mW (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ・ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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