参考まで
部品番号 | IPD60R750E6BTMA1 |
LIXINC Part # | IPD60R750E6BTMA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD60R750E6BTMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPD60R750E6BTMA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ E6 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 750mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 170µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17.2 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 373 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 48W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3-313 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
APT31M100L | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | 924 注文の詳細 |
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AUIRF2804S | AUIRF2804 - 20V-40V N-CHANNEL AU | 1688 注文の詳細 |
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IRL530NSPBF | HEXFET POWER MOSFET | 1406 注文の詳細 |
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PHT11N06LT,135 | MOSFET N-CH 55V 4.9A/10.7A SC73 | 16539 注文の詳細 |
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SI4774DY-T1-GE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO | 1278 注文の詳細 |
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STW35N65DM2 | MOSFET N-CH 650V 32A TO247 | 910 注文の詳細 |
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2SK937Y4 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 5909 注文の詳細 |
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TP5335K1-G | MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB | 41719 注文の詳細 |
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SFR9214TF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 60151 注文の詳細 |
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AO7407 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-3 | 872 注文の詳細 |
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FDP14AN06LA0 | MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 | 15448 注文の詳細 |
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RRH090P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP | 3110 注文の詳細 |
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IPI90R340C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 | 1415 注文の詳細 |
在庫あり | 38343 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
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