参考まで
| 部品番号 | FDG326P |
| LIXINC Part # | FDG326P |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDG326P PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDG326P |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | PowerTrench® |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.5A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大): | ±8V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 467 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 750mW (Ta) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | SC-88 (SC-70-6) |
| パッケージ・ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
 |
NTE2934 | MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PML | 1389 注文の詳細 |
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APT40M70JVR | MOSFET N-CH 400V 53A SOT227 | 865 注文の詳細 |
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IPP120N06NGAKSA1 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 | 1937 注文の詳細 |
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IPA65R600E6 | IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO | 6443 注文の詳細 |
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BSO083N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4601 注文の詳細 |
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CPH6355-TL-W | MOSFET P-CH 30V 3A 6CPH | 27800 注文の詳細 |
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RQ1A070ZPTR | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 6568 注文の詳細 |
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STD20NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | 1353 注文の詳細 |
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ZVP2106ASTZ | MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE | 699612946 注文の詳細 |
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TSM80N1R2CP ROG | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | 7115 注文の詳細 |
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RSQ035P03HZGTR | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 | 3671 注文の詳細 |
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SQ2325ES-T1_GE3 | MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 | 8856 注文の詳細 |
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TK16A60W,S4X | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220 | 807 注文の詳細 |
| 在庫あり | 691758 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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