参考まで
部品番号 | FQAF19N20 |
LIXINC Part # | FQAF19N20 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQAF19N20 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQAF19N20 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 15A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 150mOhm @ 7.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.6 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 85W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3PF |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3 Full Pack |
SIHB180N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK | 1895 注文の詳細 |
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IRF3205ZLPBF | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 822 注文の詳細 |
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EMH1307-TL-H | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8EMH | 3854 注文の詳細 |
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IAUC120N06S5N017ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43 | 5347 注文の詳細 |
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BSP88L6327 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 38491 注文の詳細 |
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BUZ73HXKSA1 | MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 | 6338 注文の詳細 |
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SI4842BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28A 8SO | 3346 注文の詳細 |
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IPT60R075CFD7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF | 2830 注文の詳細 |
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FDS6299S | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC | 26567 注文の詳細 |
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IRLL024NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 48542 注文の詳細 |
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FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP | 3777 注文の詳細 |
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FQAF44N08 | MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF | 1676 注文の詳細 |
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IRFS3307TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 2516 注文の詳細 |
在庫あり | 11612 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.77000 | $0.77 |
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