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部品番号 | BUK954R8-60E,127 |
LIXINC Part # | BUK954R8-60E,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK954R8-60E,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BUK954R8-60E,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.5mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 65 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 9.71 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 234W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
SISHA14DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK | 6752 注文の詳細 |
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SIRC18DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | 5743 注文の詳細 |
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AUIRLS3036 | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | 7668 注文の詳細 |
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AUIRF3007 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 10776 注文の詳細 |
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AOT288L | MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220 | 990 注文の詳細 |
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DMN4008LFG-13 | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 | 851 注文の詳細 |
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AOTF7N65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F | 931 注文の詳細 |
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AUIRFZ48Z | MOSFET N-CH 55V 61A TO220 | 7241 注文の詳細 |
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AOB480L | MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO263 | 890 注文の詳細 |
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PSMN7R0-100BS,118 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 3401 注文の詳細 |
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IRFU110 | 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL | 3819 注文の詳細 |
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IRF6619 | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET | 15338 注文の詳細 |
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IXTH80N65X2 | MOSFET N-CH 650V 80A TO247 | 1116 注文の詳細 |
在庫あり | 12538 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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