参考まで
部品番号 | FQPF6N80T |
LIXINC Part # | FQPF6N80T |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQPF6N80T PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQPF6N80T |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.95Ohm @ 1.65A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.5 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 51W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
IRF2804STRRPBF | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 950 注文の詳細 |
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IXFT42N50P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 | 991 注文の詳細 |
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BSC050N03LSGXT | BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | 5869 注文の詳細 |
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DMP31D0U-7 | MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23 | 839 注文の詳細 |
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SPB03N60C3ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3 | 3000 注文の詳細 |
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NVMFS5C410NAFT1G | MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN | 903 注文の詳細 |
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DMN1016UCB6-7 | MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 | 6024 注文の詳細 |
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HUF76629D3ST | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 73197 注文の詳細 |
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NTMFS4955NT3G | MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN | 396625945 注文の詳細 |
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AON2260 | MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN | 886 注文の詳細 |
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NVTFS4C10NWFTAG | MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN | 8382445 注文の詳細 |
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DMT2004UFDF-7 | MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN | 11248 注文の詳細 |
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NTD4860NT4G | MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK | 2360 注文の詳細 |
在庫あり | 16110 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.93000 | $0.93 |
1000 | $0.93000 | $930 |
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