参考まで
部品番号 | RQ1C065UNTR |
LIXINC Part # | RQ1C065UNTR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ1C065UNTR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RQ1C065UNTR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 870 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 700mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT8 |
パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
BUK7620-100A,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 17736 注文の詳細 |
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HUFA75329G3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3519 注文の詳細 |
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FDT3612 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 | 997 注文の詳細 |
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TK30E06N1,S1X | MOSFET N-CH 60V 43A TO220 | 863 注文の詳細 |
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IRFB7546PBF | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | 1331 注文の詳細 |
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STP4NK50ZD | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | 2796 注文の詳細 |
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SIHP15N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | 1861 注文の詳細 |
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PSMN1R9-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 8186 注文の詳細 |
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UF3C065030K3S | SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 | 1318 注文の詳細 |
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AOUS66616 | MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8 | 3758 注文の詳細 |
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STB80NF55L-08-1 | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | 806 注文の詳細 |
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SPW11N60CFDFKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 6173 注文の詳細 |
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BUK7604-40A,118 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 6596 注文の詳細 |
在庫あり | 13048 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.61000 | $0.61 |
3000 | $0.20352 | $610.56 |
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