参考まで
| 部品番号 | IPD60R460CEAUMA1 |
| LIXINC Part # | IPD60R460CEAUMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | CONSUMER |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD60R460CEAUMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD60R460CEAUMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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APT41F100J | MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP | 996 注文の詳細 |
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SPW55N80C3FKSA1 | MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3 | 1853 注文の詳細 |
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RQ5E035XNTCL | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3 | 2345 注文の詳細 |
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STB33N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK | 1189 注文の詳細 |
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MMDF2N05ZR2 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 88573 注文の詳細 |
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BSC011N03LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON | 9695 注文の詳細 |
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2N7002T-TP | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523 | 2920 注文の詳細 |
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AUIRFBA1405 | MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220 | 2980 注文の詳細 |
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CSD16327Q3T | MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON | 1916 注文の詳細 |
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IXTH10N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 10A TO247 | 568602 注文の詳細 |
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TPCA8055-H,LQ(M | MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP | 868 注文の詳細 |
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BUK9Y12-40E,115 | MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 | 3985 注文の詳細 |
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AO3421 | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L | 882 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10851 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.46848 | $0.46848 |
| 2500 | $0.46848 | $1171.2 |
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