参考まで
部品番号 | FQPF19N10 |
LIXINC Part # | FQPF19N10 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQPF19N10 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQPF19N10 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 100mOhm @ 6.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 780 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 38W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
RM1505S | MOSFET N-CHANNEL 150V 5.1A 8SOP | 892 注文の詳細 |
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IRFR825TRPBF | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | 953 注文の詳細 |
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IXTP52P10P | MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB | 1093 注文の詳細 |
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IPD60R3K4CEAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3 | 878 注文の詳細 |
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R6050JNZ4C13 | MOSFET N-CH 600V 50A TO247G | 1503 注文の詳細 |
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2N7002W-7-F | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 | 770849 注文の詳細 |
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SCT3105KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 24A TO247N | 1259 注文の詳細 |
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R6020ENZ1C9 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | 970 注文の詳細 |
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SI7846DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | 4436 注文の詳細 |
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STP410N4F7AG | MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220 | 969 注文の詳細 |
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DMN4800LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | 5857 注文の詳細 |
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PSMN3R3-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | 907 注文の詳細 |
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BSS169H6906XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 45599 注文の詳細 |
在庫あり | 12551 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.49000 | $0.49 |
1000 | $0.49000 | $490 |
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