参考まで
部品番号 | RF4E110BNTR |
LIXINC Part # | RF4E110BNTR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RF4E110BNTR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RF4E110BNTR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 11.1mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1200 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | HUML2020L8 |
パッケージ・ケース: | 8-PowerUDFN |
APT20M45BVRG | MOSFET N-CH 200V 56A TO247 | 915 注文の詳細 |
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ISS55EP06LMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 | 3201 注文の詳細 |
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IXTQ14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO3P | 858 注文の詳細 |
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IRFR121 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3741 注文の詳細 |
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MCU80N06A-TP | MOSFET N-CH 60V 80A DPAK | 1007 注文の詳細 |
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IPI120N04S401AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 | 1856 注文の詳細 |
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BUK961R7-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 1230 注文の詳細 |
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IRFS59N10DPBF | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 970 注文の詳細 |
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IRFI540NPBF | MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP | 867 注文の詳細 |
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IRFS7530-7PPBF | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK | 11666 注文の詳細 |
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SSU1N50BTU | 1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL, | 56388 注文の詳細 |
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IXTH6N150 | MOSFET N-CH 1500V 6A TO247 | 960 注文の詳細 |
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BUK6D56-60EX | MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN | 910 注文の詳細 |
在庫あり | 13402 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.62000 | $0.62 |
3000 | $0.22505 | $675.15 |
6000 | $0.21729 | $1303.74 |
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