参考まで
部品番号 | NIF9N05CLT3G |
LIXINC Part # | NIF9N05CLT3G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NIF9N05CLT3G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NIF9N05CLT3G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 59 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.6A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 125mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 250 pF @ 35 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.69W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-223 (TO-261) |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
2N7002PS/ZL115 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 306890 注文の詳細 |
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IGW40N60TP | IGW40N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | 1331 注文の詳細 |
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MGSF3455XT1 | P-CHANNEL MOSFET | 26204 注文の詳細 |
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RUC002N05T116 | MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 | 40346 注文の詳細 |
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CSD25201W15 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 1905 注文の詳細 |
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IRFD310PBF | MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP | 900 注文の詳細 |
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STD12N60DM2AG | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V | 1894 注文の詳細 |
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FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 8245 注文の詳細 |
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RQ6E050ATTCR | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6 | 5991 注文の詳細 |
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BS170-D75Z | MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 | 5858 注文の詳細 |
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IRFP9240 | MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 | 7891 注文の詳細 |
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SI7858BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 | 19838 注文の詳細 |
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NTMS4107NR2G | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | 1524 注文の詳細 |
在庫あり | 11421 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.47000 | $0.47 |
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