参考まで
部品番号 | NTMS4107NR2G |
LIXINC Part # | NTMS4107NR2G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTMS4107NR2G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTMS4107NR2G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 45 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 930mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IPB120N03S4L03ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | 15876 注文の詳細 |
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APT20M45BVFRG | MOSFET N-CH 200V 56A TO247 | 953 注文の詳細 |
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STD5NM60T4 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | 3741 注文の詳細 |
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FQT1N60CTF-WS | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4 | 21297 注文の詳細 |
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BSC0702LSATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8 | 3670 注文の詳細 |
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NTD3055L104T4G | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 1066 注文の詳細 |
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TK12A45D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS | 910 注文の詳細 |
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AOSS32338C | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 | 1776 注文の詳細 |
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IPL60R365P7AUMA1 | MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON | 6542 注文の詳細 |
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RJU002N06T106 | MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 | 24492 注文の詳細 |
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SPI16N50C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1128 注文の詳細 |
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RM21N650TI | MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO220F | 857 注文の詳細 |
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IPS65R600E6AKMA1 | PFET, 650V, 0.6OHM, 1-ELEMENT, N | 808 注文の詳細 |
在庫あり | 11577 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.47000 | $0.47 |
2500 | $0.47000 | $1175 |
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