参考まで
部品番号 | NDBA170N06AT4H |
LIXINC Part # | NDBA170N06AT4H |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 170A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NDBA170N06AT4H PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NDBA170N06AT4H |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 170A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.6V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 280 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 15.8 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 90W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
CPH5871-TL-W | 3.5A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET | 3816 注文の詳細 |
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FDD8870 | MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA | 6109 注文の詳細 |
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AOT12N40L | MOSFET N-CH 400V 11A TO220 | 884 注文の詳細 |
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CMLDM8120G TR PBFREE | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 | 2147484468 注文の詳細 |
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BFL4001 | MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI | 12730 注文の詳細 |
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AOT4N60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | 804 注文の詳細 |
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PSMN012-100YS,115 | MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56 | 1021 注文の詳細 |
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FQI15P12TU | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | 1868 注文の詳細 |
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FCU3400N80Z | MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK | 2518 注文の詳細 |
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IRF9Z10 | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB | 990 注文の詳細 |
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FQPF18N20V2YDTU | MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3 | 102548 注文の詳細 |
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DMG3N60SJ3 | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251 | 872 注文の詳細 |
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IXFB60N80P | MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 | 886 注文の詳細 |
在庫あり | 28049 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.32000 | $1.32 |
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