DMN1019USN-7

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部品番号 DMN1019USN-7
LIXINC Part # DMN1019USN-7
メーカー Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル DMN1019USN-7 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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DMN1019USN-7 仕様

部品番号:DMN1019USN-7
ブランド:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:9.3A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.2V, 2.5V
(最大) @ id、vgs の rds:10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:50.6 nC @ 8 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2426 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):680mW (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SC-59
パッケージ・ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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