参考まで
部品番号 | FQD5N30TF |
LIXINC Part # | FQD5N30TF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD5N30TF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD5N30TF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 300 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 430 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SI7469DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | 6623 注文の詳細 |
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TSM2314CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 | 13998 注文の詳細 |
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IXFT70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO268 | 3695 注文の詳細 |
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NVMTS0D7N06CLTXG | AFSM T6 60V LL NCH | 877 注文の詳細 |
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IRFP26N60LPBF | MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 | 1029 注文の詳細 |
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SI7848BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | 39318 注文の詳細 |
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STB160N75F3 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 1778 注文の詳細 |
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IRFSL7762PBF | MOSFET N-CH 75V 85A TO262 | 961 注文の詳細 |
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AUIRFP4409 | MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC | 1435 注文の詳細 |
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FDP24N40 | MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3 | 1345 注文の詳細 |
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PSMN6R0-30YLB,115 | MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56 | 3257 注文の詳細 |
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STW10NK80Z | MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3 | 1882 注文の詳細 |
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SI3473CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP | 818 注文の詳細 |
在庫あり | 17711 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
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