参考まで
部品番号 | BSP88E6327 |
LIXINC Part # | BSP88E6327 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP88E6327 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSP88E6327 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 240 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 350mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6Ohm @ 350mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.4V @ 108µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.8 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 95 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.7W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
PMV30UN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 35160 注文の詳細 |
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IRL520NSTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | 804 注文の詳細 |
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IPI80N06S3L-08 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 1606 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLAFT3G | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN | 906 注文の詳細 |
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IRFB3207ZGPBF | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB | 806 注文の詳細 |
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2SK4085LS-1E | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS | 137579 注文の詳細 |
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RM40N40LD | MOSFET N-CHANNEL 40V 42A TO252-2 | 959 注文の詳細 |
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SI7104DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | 868 注文の詳細 |
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SI7611DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 | 6206 注文の詳細 |
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STU3LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK | 3819 注文の詳細 |
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R6030ENZ1C9 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 995 注文の詳細 |
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BSC16DN25NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5 | 6512 注文の詳細 |
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FDD8N50NZTM | MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK | 8396 注文の詳細 |
在庫あり | 264237 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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