参考まで
部品番号 | FDS6685 |
LIXINC Part # | FDS6685 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDS6685 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDS6685 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.8A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 24 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.604 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
SQJ211ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 | 901 注文の詳細 |
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SUD80460E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | 4206 注文の詳細 |
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C3M0065100J | SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | 882 注文の詳細 |
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AO6409A | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP | 1320 注文の詳細 |
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NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | 861 注文の詳細 |
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FDMS86350ET80 | MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 | 8067 注文の詳細 |
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PSMN6R0-25YLD115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 44310 注文の詳細 |
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SIRA96DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8 | 910 注文の詳細 |
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STF5N95K3 | MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP | 1864 注文の詳細 |
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IRFS4010TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 891 注文の詳細 |
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BUK6E4R0-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 999 注文の詳細 |
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PSMN011-60MSX | MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33 | 801 注文の詳細 |
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FK3306010L | MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3 | 29427 注文の詳細 |
在庫あり | 26854 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.28000 | $1.28 |
2500 | $0.61614 | $1540.35 |
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