参考まで
部品番号 | EPC2007C |
LIXINC Part # | EPC2007C |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2007C PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2007C |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 30mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1.2mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 2.2 nC @ 5 V |
vgs (最大): | +6V, -4V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 220 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die Outline (5-Solder Bar) |
パッケージ・ケース: | Die |
IPB60R280C6ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK | 1163 注文の詳細 |
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STD7NM64N | MOSFET N-CH 640V 5A DPAK | 802 注文の詳細 |
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2SK3814-AZ | MOSFET N-CH 60V 60A TO251 | 7230 注文の詳細 |
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BUK6240-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 22A DPAK | 8375 注文の詳細 |
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MPF4391RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 18646 注文の詳細 |
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NVMFSW6D1N08HT1G | MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN | 33868 注文の詳細 |
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NTMFS4851NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN | 82589 注文の詳細 |
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BSC019N06NSATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL | 7133 注文の詳細 |
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DIT095N08 | MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB | 1292 注文の詳細 |
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IPP039N10N5AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 866 注文の詳細 |
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PMPB10ENZ | MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6 | 903 注文の詳細 |
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BUK7E2R3-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 1195 注文の詳細 |
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RFP8P10 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 30856 注文の詳細 |
在庫あり | 34984 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.14000 | $2.14 |
2500 | $0.95988 | $2399.7 |
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