参考まで
部品番号 | FQI7N80TU |
LIXINC Part # | FQI7N80TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQI7N80TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQI7N80TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 52 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.85 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IXTP10P50P | MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB | 2168 注文の詳細 |
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FDAF62N28 | MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF | 2057 注文の詳細 |
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FQD19N10LTF | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | 889 注文の詳細 |
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FCPF1300N80Z | MOSFET N-CH 800V 4A TO220F | 9653847 注文の詳細 |
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IRL3803STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | 3009 注文の詳細 |
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DMG7702SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | 4366857 注文の詳細 |
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SPA04N50C3XKSA1 | MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-FP | 2425 注文の詳細 |
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BSC093N15NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 87A TDSON | 8944 注文の詳細 |
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FDP8874 | MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3 | 1764993 注文の詳細 |
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FCPF9N60NT | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F | 8412899 注文の詳細 |
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IRFI9Z34GPBF | MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3 | 1392 注文の詳細 |
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AON2406 | MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN | 5306 注文の詳細 |
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PSMN3R5-25MLDX | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | 882 注文の詳細 |
在庫あり | 11309 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.14000 | $1.14 |
1000 | $1.14000 | $1140 |
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