参考まで
部品番号 | STL18N60M2 |
LIXINC Part # | STL18N60M2 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STL18N60M2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STL18N60M2 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ II Plus |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 308mOhm @ 4.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 21.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 791 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 57W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerFlat™ (5x6) HV |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
STB9NK80Z | MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK | 852 注文の詳細 |
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IRLR2905ZTRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 993 注文の詳細 |
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FQPF14N15 | MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F | 2801 注文の詳細 |
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TSM650N15CS RLG | MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP | 5892 注文の詳細 |
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IXTA20N65X | MOSFET N-CH 650V 20A TO263 | 972 注文の詳細 |
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IPD50R280CEATMA1 | 500V COOLMOS N-CHANNEL | 834 注文の詳細 |
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R6004JND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | 3502 注文の詳細 |
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2SK1459LS | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 2228 注文の詳細 |
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HUF75545P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 | 1212 注文の詳細 |
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TK90S06N1L,LQ | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 858 注文の詳細 |
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DN3525N8-G | MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA | 870 注文の詳細 |
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IPU80R2K8CEBKMA1 | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 911 注文の詳細 |
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RM40P07 | MOSFET P-CHANNEL 40V 6.2A 8SOP | 970 注文の詳細 |
在庫あり | 10926 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.19000 | $1.19 |
3000 | $1.19000 | $3570 |
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