参考まで
部品番号 | IPP65R600E6XKSA1 |
LIXINC Part # | IPP65R600E6XKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPP65R600E6XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPP65R600E6XKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 210µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 440 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 63W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
MMSF1310R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8236 注文の詳細 |
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PSMN016-100YS,115 | MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56 | 930 注文の詳細 |
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IRF520PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 1891 注文の詳細 |
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NVMFS5C645NLWFT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 11107 注文の詳細 |
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IRFZ14PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 1942 注文の詳細 |
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SI4864DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 17A 8SO | 956 注文の詳細 |
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SI7115DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 | 10249 注文の詳細 |
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ISC037N03L5ISATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON | 11072 注文の詳細 |
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IRF7478PBF | MOSFET N-CH 60V 7A 8SO | 866 注文の詳細 |
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NVD3055L170T4G-VF01 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 929 注文の詳細 |
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BSC010N04LSTATMA1 | MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON | 2892 注文の詳細 |
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BUZ100S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6002 注文の詳細 |
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STI400N4F6 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 922 注文の詳細 |
在庫あり | 11404 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.60000 | $0.6 |
500 | $0.60000 | $300 |
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