参考まで
部品番号 | FQU12N20TU |
LIXINC Part # | FQU12N20TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQU12N20TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQU12N20TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 910 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
STB42N65M5 | MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK | 6874 注文の詳細 |
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C2M1000170J-TR | SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7 | 889 注文の詳細 |
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DMN10H700S-7 | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 | 9781 注文の詳細 |
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STL12N65M5 | MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT | 867 注文の詳細 |
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STL60NH3LL | MOSFET N-CH 30V 30A POWERFLAT | 844 注文の詳細 |
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IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B | 522187 注文の詳細 |
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SPU02N60S5 | SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE | 947 注文の詳細 |
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DMTH4005SK3-13 | MOSFET N-CH 40V 95A TO252 | 906 注文の詳細 |
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APT56M50B2 | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | 804 注文の詳細 |
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IXTH44P15T | MOSFET P-CH 150V 44A TO247 | 924 注文の詳細 |
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FDD5N50TM | 4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE | 3846 注文の詳細 |
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FDC658AP | MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 | 823 注文の詳細 |
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IPD15N06S2L64ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 | 3480 注文の詳細 |
在庫あり | 21793 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
5040 | $0.41000 | $2066.4 |
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