参考まで
部品番号 | NTD3808N-1G |
LIXINC Part # | NTD3808N-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD3808N-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD3808N-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 16 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 76A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 21 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.66 pF @ 12 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
AUIRFR2905Z | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 3686 注文の詳細 |
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IPB117N20NFDATMA1 | MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3 | 863 注文の詳細 |
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SSM3J36TU,LF | MOSFET P-CH 20V 330MA UFM | 10256 注文の詳細 |
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IXTH140P10T | MOSFET P-CH 100V 140A TO247 | 916 注文の詳細 |
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FDD16AN08A0_NF054 | MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK | 1158 注文の詳細 |
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AOW482 | MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262 | 848 注文の詳細 |
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AUIRF1010ZL | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 8726 注文の詳細 |
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DMT10H015SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 837 注文の詳細 |
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FQU2N90TU-AM002 | MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK | 1842 注文の詳細 |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 | 20931 注文の詳細 |
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NTB60N06T4G | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 32002402 注文の詳細 |
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SI4634DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO | 3112 注文の詳細 |
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TSM025NB04LCR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN | 5661 注文の詳細 |
在庫あり | 18235 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.24000 | $0.24 |
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