参考まで
部品番号 | NTD110N02R |
LIXINC Part # | NTD110N02R |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD110N02R PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD110N02R |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 24 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.44 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
DMTH10H010SPSQ-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 1084 注文の詳細 |
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RCJ100N25TL | MOSFET N-CH 250V 10A LPT | 1815 注文の詳細 |
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DMTH43M8LFG-7 | MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 | 12806 注文の詳細 |
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BUK9Y59-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56 | 958 注文の詳細 |
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HUF76139P3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 13823 注文の詳細 |
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BUK7Y153-100EX | MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56 | 1690 注文の詳細 |
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IXTH10P50P | MOSFET P-CH 500V 10A TO247 | 935 注文の詳細 |
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IPA90R800C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP | 1443 注文の詳細 |
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AOTF3N90 | MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220-3F | 940 注文の詳細 |
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ES6U2T2R | MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT | 868 注文の詳細 |
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RFL1N15L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2714 注文の詳細 |
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PSMN025-80YLX | MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 | 944 注文の詳細 |
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IXTP4N65X2 | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 | 2933559 注文の詳細 |
在庫あり | 10962 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.24000 | $0.24 |
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