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部品番号 | IPP80N06S4L07AKSA2 |
LIXINC Part # | IPP80N06S4L07AKSA2 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | PFET, 80A I(D), 60V, 0.0064OHM, |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPP80N06S4L07AKSA2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPP80N06S4L07AKSA2 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 40µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 75 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.68 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 79W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-3-1 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
NTB6412ANT4G | MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK | 8897 注文の詳細 |
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STB36N60M6 | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK | 1452 注文の詳細 |
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IRFP7537PBF | MOSFET N-CH 60V 172A TO247 | 1673 注文の詳細 |
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STL130N8F7 | MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT | 984 注文の詳細 |
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NDP7050L | MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 | 1106 注文の詳細 |
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CSD19506KTTT | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK | 961 注文の詳細 |
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IPD60R520CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5664 注文の詳細 |
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SIS429DNT-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8 | 933 注文の詳細 |
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NTMFS4119NT3G | MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN | 60888 注文の詳細 |
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STB12NM60N | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | 997 注文の詳細 |
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SI4413CDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | 933 注文の詳細 |
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FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET | 1807 注文の詳細 |
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STFW45N65M5 | MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT | 889 注文の詳細 |
在庫あり | 19991 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.77000 | $0.77 |
500 | $0.77000 | $385 |
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