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部品番号 | SIS429DNT-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIS429DNT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIS429DNT-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIS429DNT-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 21mOhm @ 10.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 50 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1350 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 27.8W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
NTMFS4119NT3G | MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN | 60866 注文の詳細 |
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STB12NM60N | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | 921 注文の詳細 |
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SI4413CDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | 941 注文の詳細 |
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FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET | 1902 注文の詳細 |
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STFW45N65M5 | MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT | 807 注文の詳細 |
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IRF7204PBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 832 注文の詳細 |
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UJ4C075060K4S | SICFET N-CH 750V 28A TO247-4 | 840 注文の詳細 |
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TSM950N10CW RPG | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 | 2747 注文の詳細 |
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AUIRL7766M2TR | MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET | 11742 注文の詳細 |
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SIDR170DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK | 6888 注文の詳細 |
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IXFP16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB | 1399 注文の詳細 |
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AOL1482 | MOSFET N-CH 100V 4.5A ULTRASO8 | 926 注文の詳細 |
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CPH6337-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6CPH | 54795 注文の詳細 |
在庫あり | 10857 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.14435 | $0.14435 |
6000 | $0.14435 | $866.1 |
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