参考まで
部品番号 | FQD3N60TF |
LIXINC Part # | FQD3N60TF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD3N60TF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD3N60TF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 450 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFB23N20DPBF | SMPS HEXFET POWER MOSFET | 1672 注文の詳細 |
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MTP20N15EG | MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB | 984 注文の詳細 |
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IPI80N04S4L04AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 26911 注文の詳細 |
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CSD25485F5 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR | 12646 注文の詳細 |
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STD6N95K5 | MOSFET N-CH 950V 9A DPAK | 8937 注文の詳細 |
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IRFS7734TRL7PP | MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK | 941 注文の詳細 |
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NTD3055L170-1G | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 807 注文の詳細 |
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STB11NM80T4 | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK | 4945 注文の詳細 |
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RUF025N02TL | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 | 9598 注文の詳細 |
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STD3NK80ZT4 | MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK | 2202 注文の詳細 |
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BUK9214-30A,118 | MOSFET N-CH 30V 63A DPAK | 10025 注文の詳細 |
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NTMS4939NR2G | MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC | 200976 注文の詳細 |
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PSMN1R5-40YSDX | MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56 | 2462 注文の詳細 |
在庫あり | 14108 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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