参考まで
部品番号 | PSMN7R8-120ESQ |
LIXINC Part # | PSMN7R8-120ESQ |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PSMN7R8-120ESQ PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PSMN7R8-120ESQ |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 120 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 70A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.9mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 167 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 9.473 pF @ 60 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 349W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
STW7N95K3 | MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 | 1573 注文の詳細 |
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STP28N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 1939 注文の詳細 |
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FQPF3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F | 4841 注文の詳細 |
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SI5424DC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | 10080 注文の詳細 |
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IPB240N03S4LR8ATMA1928 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5926 注文の詳細 |
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RQ6L020SPTCR | MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 | 2192 注文の詳細 |
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SI7464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 | 3410 注文の詳細 |
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IXFX21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 | 884 注文の詳細 |
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IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA | 1646 注文の詳細 |
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SI7633DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 5708 注文の詳細 |
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FQA6N70 | MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P | 5835 注文の詳細 |
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DMN30H4D0LFDE-7 | MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN | 20120 注文の詳細 |
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STI24NM60N | MOSFET N CH 600V 17A I2PAK | 1948 注文の詳細 |
在庫あり | 11389 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.79000 | $0.79 |
5000 | $0.79000 | $3950 |
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