参考まで
部品番号 | RW1C015UNT2R |
LIXINC Part # | RW1C015UNT2R |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RW1C015UNT2R PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RW1C015UNT2R |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Not For New Designs |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.5A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.8 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 110 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 400mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WEMT |
パッケージ・ケース: | SOT-563, SOT-666 |
RHP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 | 11489 注文の詳細 |
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TK10J80E,S1E | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P | 994 注文の詳細 |
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R5021ANX | MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM | 1331 注文の詳細 |
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SIR692DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8 | 3509 注文の詳細 |
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G3R45MT17D | SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3 | 964 注文の詳細 |
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IXFA26N50P3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 | 1696 注文の詳細 |
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FDPF2710T | MOSFET N-CH 250V 25A TO220F | 948 注文の詳細 |
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SSM3K37FS,LF | MOSFET N-CH 20V 200MA SSM | 1057 注文の詳細 |
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SI1443EDH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6 | 3420 注文の詳細 |
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VP2450N3-G | MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3 | 1344 注文の詳細 |
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IRF6201PBF | HEXFET POWER MOSFET | 1902 注文の詳細 |
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TPN2R304PL,L1Q | MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON | 15953 注文の詳細 |
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STL130N6F7 | MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT | 6588 注文の詳細 |
在庫あり | 10926 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.17545 | $0.17545 |
8000 | $0.17545 | $1403.6 |
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