参考まで
部品番号 | IRF6201PBF |
LIXINC Part # | IRF6201PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF6201PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF6201PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 27A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.45mOhm @ 27A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.1V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 195 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 8.555 pF @ 16 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
TPN2R304PL,L1Q | MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON | 15877 注文の詳細 |
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STL130N6F7 | MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT | 6585 注文の詳細 |
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ECH8410-TL-H | MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8 | 9897 注文の詳細 |
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IXFJ80N25X3 | MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3 | 1303 注文の詳細 |
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BSC060N10NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON | 31788 注文の詳細 |
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RK7002BMT116 | MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 | 91420 注文の詳細 |
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CDM2205-800FP SL | MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP | 976 注文の詳細 |
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AO6405 | MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP | 16588 注文の詳細 |
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IRFBE30PBF | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB | 971 注文の詳細 |
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NTMFS4923NET1G | MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN | 2331 注文の詳細 |
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IRFR3303PBF | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK | 803 注文の詳細 |
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RE1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F | 992 注文の詳細 |
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FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK | 5604 注文の詳細 |
在庫あり | 11865 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.49000 | $0.49 |
3800 | $0.49000 | $1862 |
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