参考まで
部品番号 | IRFR3303PBF |
LIXINC Part # | IRFR3303PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFR3303PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFR3303PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 33A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 31mOhm @ 18A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 29 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 750 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 57W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RE1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F | 857 注文の詳細 |
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FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK | 5562 注文の詳細 |
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IRF620STRLPBF | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | 1140 注文の詳細 |
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DMP2010UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 | 845 注文の詳細 |
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PSMN017-30PL,127 | MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB | 22882 注文の詳細 |
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SSM3J327R,LF | MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F | 2248 注文の詳細 |
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NVMFS5C430NLAFT3G | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN | 899 注文の詳細 |
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HUF75545S3ST_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 836 注文の詳細 |
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BUK9607-30B,118 | PFET, 108A I(D), 30V, 0.007OHM, | 4293 注文の詳細 |
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NDP7060 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 | 1572 注文の詳細 |
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PMV250EPEA215 | P-CHANNEL MOSFET | 141813 注文の詳細 |
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IXTA52P10P-TRL | MOSFET P-CH 100V 52A TO263 | 1531 注文の詳細 |
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VN0106N3-G-P003 | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 | 858 注文の詳細 |
在庫あり | 10910 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.39000 | $0.39 |
975 | $0.39000 | $380.25 |
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